Vakyòm wo-tanperati cho peze se yon pwosesis manifakti kritik pou seramik avanse, karbid simante, konpoze matris metal, ak materyèl anbalaj elektwonik. Mache a mouri presyon cho SINTERING te valè nan9.6 milya dola nan 2025, ap grandi nan 6.7% CAGR. Mwazi grafit pou laprès cho opere nan kondisyon ki pi egzijan nan pwosesis materyèl - ekspoze similtane a tanperati jiska 2,300 degre, presyon uniaxial nan 20-100 MPa, ak gwo vakyòm (<10⁻³ Pa) or inert atmosphere. No other engineering material can match graphite's combination of high-temperature strength, thermal conductivity, and chemical inertness under these extreme conditions.
Kouman Graphite Cho Press Moules travay
Yon asanblaj mwazi pou laprès cho grafit konsiste de yon kò mouri silendrik, pwenson anwo ak pi ba, ak revètman papye grafit opsyonèl (0.2-0.5 mm epè). Se poud la oswa kontra enfòmèl ant vèt chaje nan kavite a mouri, epi yo mete asanble a ant belye mouton presyon nan yon founo vakyòm pou laprès cho. Kòm gwo fou a chofe nan tanperati a SINTERING (tipikman 1,500-2,200 degre pou seramik ak karbid), pwenson yo aplike presyon uniaxial pou dans materyèl la. Graphite mouri a sèvi doub fonksyon: li genyen materyèl Et transmèt pwesyon inifòm pandan ke yo reziste tanperati ekstrèm. Pou materyèl konduktif, mouri grafit la ka sèvi tou kòm eleman chofaj atravè endiksyon aktyèl dirèk oswa chofaj rezistans (SPS - Spark Plasma Sintering).
Graphite Hot Press Die Materyèl Espesifikasyon
| Paramèt | Objektif jeneral | Segondè-Fòs | Ultra-High-Temp | SPS / Fine Grenn |
|---|---|---|---|---|
| Dansite (g/cm³) | 1.75–1.82 | 1.82–1.88 | 1.78–1.85 | 1.85–1.92 |
| Fòs konpresyon (MPa) | Pi gran pase oswa egal a 80 | Pi gran pase oswa egal a 110 | Pi gran pase oswa egal a 95 | Pi gran pase oswa egal a 130 |
| Fòs flexural (MPa) | Pi gran pase oswa egal a 40 | Pi gran pase oswa egal a 55 | Pi gran pase oswa egal a 48 | Pi gran pase oswa egal a 65 |
| Fòs Chea (MPa) | Pi gran pase oswa egal a 25 | Pi gran pase oswa egal a 35 | Pi gran pase oswa egal a 30 | Pi gran pase oswa egal a 40 |
| Modil elastik (GPa) | 8–14 | 12–18 | 10–15 | 14–20 |
| Rezistans elektrik (μΩ·m) | 10–14 | 9–12 | 8–11 | 7–10 |
| Kondiktivite tèmik (W/m·K) | 100–140 | 120–160 | 130–170 | 120–150 |
| CTE (×10⁻⁶/ degre) | 2.0–4.0 | 1.5–3.5 | 1.5–3.0 | 1.5–3.0 |
| Porosite (%) | Mwens pase oswa egal a 14 | Mwens pase oswa egal a 10 | Mwens pase oswa egal a 12 | Mwens pase oswa egal a 7 |
| Gwosè grenn (μm) | 12–20 | 8–15 | 10–18 | Mwens pase oswa egal a 5 |
| Tanperati maksimòm travay (degre) | 2,500 | 2,800 | 3,000 | 2,500 |
| Presyon travay san danje (MPa) | 20–40 | 40–70 | 30–50 | 50–100 |
| Tipik lavi mouri (sik) | 50–150 | 150–400 | 100–300 | 200–500 |
Cho Press Paramèt pa sistèm materyèl
| Sistèm materyèl | Tanperati (degre) | Presyon (MPa) | Tan kenbe (min) | Atmosfè | Graphite Die Grade |
|---|---|---|---|---|---|
| WC-Co carbure simante | 1,350–1,450 | 20–40 | 30–60 | Vakyòm / Ar | Segondè fòs |
| Si₃N₄ seramik | 1,700–1,900 | 20–50 | 30–120 | N₂ / vakyòm | Segondè fòs |
| B₄C seramik | 2,000–2,200 | 30–60 | 15–60 | Vakyòm / Ar | Ultra-wo tanperati |
| Al₂O₃ seramik | 1,400–1,600 | 20–40 | 30–90 | Vakyòm / Ar | Objektif jeneral |
| Cu-dyaman konpoze | 980–1,040 | 30–50 | 5–20 | Vakyòm (<10⁻³ Pa) | Segondè fòs |
| TiC/TiB₂ cermet | 1,500–1,800 | 25–50 | 20–60 | Vakyòm / Ar | Segondè fòs |
| C/C konpoze | 1,800–2,400 | 10–30 | 60–180 | Ar / N₂ | Ultra-wo tanperati |
| Spark Plasma Sintering (divès) | 1,200–2,000 | 30–100 | 5–30 | Vakyòm / Ar | SPS / grenn byen |
Mouri konsepsyon & analiz echèk
Paramèt konsepsyon ki pi kritik pou mouri grafit pou laprès cho se rapò epesè-a-dyamèt miray la, ki detèmine presyon k ap travay san danje. Kòm yon règ nan gwo pous, rapò a dyamèt ekstèn ak dyamèt enteryè (OD/ID) ta dwe omwen 2.0 pou presyon ki pi wo a 30 MPa, ak 2.5-3.0 pou presyon ki pi wo a 50 MPa. Wotè mouri yo ta dwe 1.5-2.5 × dyamèt enteryè a pou estabilite. Mòd echèk komen yo enkli: (1) Divizyon axial soti nan estrès baskètbòl twòp - anpeche bon rapò OD/ID; (2) Fen krak nan chòk tèmik - diminye pa chofaj gradyèl (mwens pase oswa egal a 10 degre / min) ak izolasyon papye grafit; (3) Enfiltrasyon materyèl ki fonn - adrese lè l sèvi avèk grafit gwo dansite (Pi gran pase oswa egal a 1.82 g / cm³) ak BN kouch; (4) Fòmasyon kout pwen an - redwi pa revètman papye grafit ak bon distans (0.1–0.3 mm ant kout pwen an ak miray mouri). Avèk konsepsyon kòrèk ak operasyon, prim grafit mouri reyalize 200-500 sik laprès cho.
Insight endistri:Spark Plasma Sintering (SPS) se teknoloji laprès cho k ap grandi pi rapid, ak pousantaj chofaj jiska 600 degre /min ak tan sik nan 5-30 minit. SPS mande pou mouri grafit ak gwosè grenn amann (mwens pase oswa egal a 5 μm), konduktiviti elektrik segondè, ak dansite inifòm asire distribisyon aktyèl ki konsistan. Siklis rapid tèmik nan SPS fè rezistans chòk tèmik kritè seleksyon prensipal la, favorize grafit izotwòp amann-grenn plis pase klas ki pi gran extrudée.
Konsènan Huixian Jincheng faktori mwazi abrazif
Nou konsepsyon ak fabrike grafit cho peze mouri pou vakyòm cho peze, SPS, ak aplikasyon pou SINTERING wo-tanperati. Ekip jeni nou an kalkile pi bon dimansyon mouri ki baze sou kapasite laprès ou, materyèl, ak paramèt pwosesis. Estanda ak koutim mouri soti nan Ø20 mm a Ø300 mm ki disponib ak pwenson presizyon-machini ak revètman.
Sit wèb: www.graphitejc.com|Imèl: info@graphitejc.com
