Materyèl prensipal ak estrikti
1) Gwo -pite izostatik peze kreze grafit (pi pito pou founo vakyòm)
Konpresyon inifòm twa -dimansyon, estrikti dans, bon izotropi, ba porosite, gwo dansite, ak enpurte ki ba anpil; yo itilize pou semi-conducteurs, kwasans kristal SiC, ak fonn metal ki gen gwo -pite.
2) enpreye dans grafit creuset
Rezin/chabon goudwon fekondasyon pou sele porositë, amelyore sere lè a, gwo pri -efikasite; itilize pou tretman chalè vakyòm konvansyonèl ak SINTERING alyaj difisil.
3) SiC/BN kouvwi grafit creuze
Dans SiC/BN kouch sou miray enteryè a, anti{0}}oksidasyon, anti-kouch, kont-kontaminasyon kabòn, ak rezistans nan ewozyon metal likid; ka yon ti tan kontakte lè, pi long lavi sèvis.
Karakteristik debaz
1. Ultra-pite, ekstrèmman ba degase (vakyòm se kle)
Kabòn fiks: 99.9% (3N) / 99.95% (4N) / 99.99% (5N)
Kontni sann: Mwens pase oswa egal a 50 ppm (4N), Mwens pase oswa egal a 10 ppm (5N); Enpurte metal (Fe, Si, Al, elatriye) Mwens pase oswa egal a 5-10 ppm
Degassaj vakyòm segondè -tanperati: matyè temèt total mwens pase oswa egal a 0.005% nan 1600 degre, lage enpurte mwens pase oswa egal a 5 ppm, pa kontamine fonn / pyès travay la, pa domaje degre vakyòm lan.
2. Segondè rezistans tanperati, estabilite tèmik fò
Alontèm - nan vakyòm / atmosfè inaktif: 2200 degre ; Limit kout -tèm: 2800 degre
Air (san kouch): Mwens pase oswa egal a 450 degre; Kouch SiC: 1800 degre kout -tèm ka itilize
Koyefisyan ekspansyon tèmik (25-1000 degre): 1.8-2.2 × 10⁻⁶ / degre (trè ba); Deformation sik tèmik Mwens pase oswa egal a 0.01 mm / m, pa gen okenn fann, pa gen deformation
Pwosesis pwodiksyon
Segondè -poud grafit pite → Fwad izostatik peze → 2800–3000 degre segondè -grafitizasyon tanperati → Enpregnasyon ak dans (si ou vle) → Precision CNC pwosesis → SiC/BN kouch (si ou vle) → Netwayaj, siye, deteksyon koule → Enspeksyon SGS (COA, Kalite enspeksyon) →
Prensipal jaden aplikasyon yo
Semiconductor / Fotovoltaik: SiC yon sèl kristal kwasans, materyèl Silisyòm k ap fonn, rkwit wafer, PECVD, kreze jaden tèmik
Metaliji vakyòm: Titàn, tengstèn, molybdène, metal presye, metal ki ra fonn vakyòm / distilasyon
Metaliji poud: carbure simante, neyodim fè bor, sintering vakyòm seramik
Tretman chalè vakyòm: wo -alyaj tanperati, asye espesyal vakyòm trempe / brase
Sijesyon pou seleksyon an:
Ultra-vakyòm segondè (10⁻⁵ a 10⁻⁶ Pa) + Semiconductor / High -materyèl pite → 5N segondè-pite izostatik kreze grafit
Founisè vakyòm konvansyonèl yo, SINTERING / fusion → 4N izostatik / enpreye grafit kreze (pri segondè -efikasite)
Gen tandans pou oksidasyon, metal likid ewozyon, anti-kode → SiC/BN kouvwi grafit creuze
| Atik | Segondè -pite izostatik | Enpreye | SiC kouvwi | Kondisyon |
|---|---|---|---|---|
| Kabòn fiks | Pi gran pase oswa egal a 99.95%/99.99% | Pi gran pase oswa egal a 99.9% | Pi gran pase oswa egal a 99.95% | RT |
| Dansite esansyèl | 1.85-1.92 g/cm³ | 1.75-1.85 g/cm³ | 1.88-1.92 g/cm³ | RT |
| Porosite | Mwens pase oswa egal a 1.5% | Mwens pase oswa egal a 3% | Mwens pase oswa egal a 1.5% | RT |
| Tanperati kontinyèl (vakyòm) | 2200 degre | 2100 degre | 2200 degre | Ar/N₂ |
| CTE (25-1000 degre) | 1.8–2.2×10⁻⁶/ degre | 2.0–2.5×10⁻⁶/ degre | 1.9–2.3×10⁻⁶/ degre | / degre |
| Kondiktivite tèmik | 150–180 W/(m·K) | 120–150 W/(m·K) | 140–170 W/(m·K) | RT |
Baj popilè: vakyòm founo grafit crucibles, Lachin vakyòm founo grafit crucibles manifaktirè, Swèd, faktori
