99.99% segondè -pite izostatik grafit sipò bag la se yon eleman debaz nan jaden an tèmik nan fotovoltaik ak semi-conducteurs sèl -fono kristal, ki sèvi kòm tou de yon chaj-pote ak eleman chanm pwòp. Avèk sis karakteristik kle-ultra-pite segondè, izotropi, segondè-rezistans tanperati, ba ekspansyon tèmik, inertness chimik, ak machin presizyon-li asire sèl kristal pite, sede, ak estabilite jaden tèmik. Senaryo aplikasyon prensipal yo gen ladan founo fotovoltaik CZ, semi-conducteurs Silisyòm, ak SiC yon sèl -fono kristal.
Silisyòm monokristalin grafit sipò bag (99.99% / 4N segondè -pite izostatik grafit), se eleman estriktirèl debaz la nan jaden an tèmik nan rale dirèk (CZ) yon sèl kristal gwo founo dife a. Li se itilize nan yon atmosfè vakyòm / Agon nan tanperati ki sòti nan 1400 a 1600 degre pou sipòte stab kreze grafit la, tib gid, kouvèti izolasyon ak eleman chofaj, pote chay axial, asire konsantrikite ak estabilite dimansyon nan jaden tèmik, anpeche kontaminasyon enpurte nan fonn Silisyòm nan, ak garanti pite a ak sèl yyiel silisyòm baton.
Materyèl: Segondè -pite izostatik grafit atifisyèl (Izostatik Graphite), ak yon kontni kabòn nan ** Pi gran pase oswa egal a 99.99% (4N)**, enpurte total mwens pase oswa egal a 100 ppm, enpurte metal kle (Fe, Cu, Al, Ca, elatriye) Mwens pase oswa egal a 1 ppm.
Fonksyon debaz: chaj-pote + pwezante + izolasyon chalè + anti-polisyon. Li se yon eleman debaz endispansab pou fotovoltaik / semi-conducteurs yon sèl kristal rale.
Karakteristik detaye (avantaj debaz)
Ultra-pite segondè, elimine kontaminasyon Silisyòm (faktè ki pi enpòtan an)
99.99% (4N) pite segondè, ak enpurte ki ba anpil. Li pa volatilize oswa lage enpurte metal nan tanperati ki wo, evite domaj oksijèn, kabòn, ak metal enpurte nan kristal sèl Silisyòm, dirèkteman amelyore pwodiksyon an kristal sèl ak efikasite konvèsyon batri. Grafit òdinè gen enpurte segondè, ki ka lakòz tach nwa sou wafer Silisyòm lan, flit, ak yon diminisyon nan lavi konpayi asirans minorite.
Karakteristik detaye (avantaj debaz)
Izostatik peze bòdi, estrikti izotwòp ak inifòm
Fwad izostatik peze (CIP) bòdi, ak pèfòmans konsistan nan tout twa dimansyon, pa gen oryantasyon, ak dansite inifòm; li pa defòme, defòme, oswa krak nan tanperati ki wo, asire konsatrisite nan jaden an tèmik, epi evite eksantrisite, kwen kase, ak dislokasyon pandan pwosesis la rale sèl kristal.
Karakteristik detaye (avantaj debaz)
Segondè rezistans tanperati, estabilite tèmik fò, ak rezistans nan chòk tèmik.
Li ka travay pou yon tan long nan 1500-1600 degre anba vakyòm / atmosfè agon, ak pou yon ti tan nan 2200 degre; fòs tanperati a wo pa diminye men yon ti kras ogmante; koyefisyan ekspansyon tèmik la trè ba, epi li pa krak, pa tonbe, epi li pa defòme anba chòk tèmik entans pandan chofaj rapid ak refwadisman.
Aplike nan endistri ak senaryo
1) Endistri fotovoltaik (pi debaz)
Silisyòm monokristalin CZ rale gwo founo dife (12/16/18/20/22/28 pous): Sipòte kreze grafit, tib divèsyon, silenn izolasyon, eleman chofaj, ekran izolasyon chalè; Asire jaden tèmik ki estab, pite nan branch Silisyòm, sede, ak konsistans.
Apwopriye pou N-tip / P-tip monokristalin Silisyòm baton ak gwo -efikas fotovoltaik Silisyòm silisyòm pwodiksyon.
Aplike nan endistri ak senaryo
2) endistri semi-conducteurs
Semiconductor -klas monokristalin Silisyòm gwo founo (12 pous ak pi wo): Pwodui Silisyòm wafers pou sikui entegre, ki egzije 5N (99.999%) ultra-pite segondè, ak enpurte kontwole nan nivo ppm / ppb.
Silisyòm epitaksi, PECVD, vakyòm chalè tretman tèmik konpozan sipò jaden.
Bay solisyon pou bag sipò nan gwo founo kristal sèl
Liy dirèk sèvis gratis nou an:+8615617175030
30
ane
Nou ap travay nan endistri a depi 1984
32
sètifika
Nou te jwenn pi fò nan sètifika pwofesyonèl yo nan endistri a epi ensiste sou estanda entènasyonal pwodiksyon an.
18
prim
Nou te genyen anpil prim pou kreyativite fò
Baj popilè: grafit sipò bag pou monocrystalline Silisyòm - 99.99% (4n) segondè pite izostatik grafit, Lachin grafit sipò bag pou monokristalin Silisyòm - 99.99% (4n) segondè pite izostatik grafit manifaktirè, Swèd, faktori
